王者荣耀投注 英特尔18A制程实测：M0间距36nm、GAA间距76nm，与宣传存在差距

发布日期：2026-02-24 09:36    点击次数：169

IT之家 2 月 21 日讯息，分析师 @jukan05 当天转发了一份对于 Panther Lake 的深度技巧分析呈报，揭示了首款基于 Intel 18A 制程工艺的 CPU 家具的关节遐想参数。

这份呈报通过对芯片物理兑现的详备拆解，呈现了 18A 工艺在初期量产阶段的果真技巧面庞，同期也勾画出英特尔异日 14A 工艺的技巧演进旅途。

中枢尺寸与单位遐想

Panther Lake 芯片的裸晶圆尺寸（Die size）约为 110mm²，芯片内扫数区域，包括逻辑芯片和 SRAM 芯片，均遴荐了高性能（HP）库，而非时常用于进步密度的高密度（HD）库。

具体而言，逻辑芯片部分遴荐 G50H180 规格，SRAM 芯单方面积为 0.023μm²，这与英特尔此前表露的信息一致。

在金属层间距上，其最小金属间距（M0）为 36nm。尽管 Intel 18A 声称可兑现 32nm 的 M0 间距，但这仅适用于 HD 库（对应 H160）。

与业界常见的 HD / HP 同间距但晶体管数目不同的作念法不同，18A 的 HD 和 HP 库均保管 5 个鳍片，但 HD 库遴荐 32nm 间距，而 HP 库则为 36nm 间距。

在金属层方面，前端（FS）共有 15 层金属层，后端（BS）共有 6 层金属层，其中 BM5 层本色上可视为 RDL（重散播层）。

GAA 间距与后面供电的和洽

GAA 全环绕栅极晶体管的间距是估计工艺先进性的关节主见。Panther Lake 的逻辑最小栅极间距为 76nm，而 SRAM 位线间距为 52nm，两者之间存在显贵各异。这一各异背后则是技巧的执行衡量。

值得凝视的是，逻辑与 SRAM 均遴荐 HP 库，但两者最小间距各异较大。当今尚未公布 GAA 关节尺寸（CD），因此无法进一步反推出 GAA 间距。

对于 Power Via 后面供电技巧，英特尔此前已讲明 18A 的 SRAM 并未遴荐 Power Via 决策。18A 的 Power Via 技巧是在 GAA 结构之间插入电源通孔，将后面供电一语气至前端中段金属层（MEOL）战争层，并向源极提供电力。关联词，这条款 GAA 间距必须饱和大，不然 Power Via 无法通过。

按照业内无数明白，若要在 SRAM 单位中兑现 Power Via，王者荣耀投注仅插入 NN 间距一项就需将单位高度增多 1.1 倍。呈报指出，固然英特尔官方讲解是后面供电对 SRAM 提供的收益不明显，而根柢原因在于技巧规章。

好讯息是，这一规章将在 14A 节点获取措置。14A 将改用 BSCON 技巧，径直从后面一语气到晶体管的源极点子，从而解脱 GAA 间距的管制。这意味着，14A 的 SRAM 是具备遴荐 Power Via 技巧才气的。

在材料层面，18A 的 MEOL（中段制程）战争孔以及 BEOL（后段制程）的 V0/V1 层仍遴荐钨，而非此前传说中的钼。M0 金属层则遴荐铜。分析以为，英特尔遐想在 14A 节点引入钼，但 14A 的 M0 间距仍然较大，仅略小于 18A，因此当今尚无必要遴荐钌。

除此以外，18A 的 GAA 结构已配备里面阻隔层（Inner Spacer）。比较之下，三星的 SF3 工艺直到 SF2 节点才引入该结构，这突显了不同代工场在技巧锻练度上的各异。

在产能与良率方面，呈报提到，Panther Lake 当今仍处于良率爬坡阶段，且刻下家具一起遴荐相对更易制造的 HP 库。分析以为，先不磋议英特尔容或的 32nm 间距，仅从刻下量产家具来看，即使在 36nm 上，良带领会仍需一些时日。

呈报提到，18A 逻辑 GAA 间距达 76nm，甚而遍及于中芯海外 N+3 工艺的 32nm 鳍片间距。这印证了一个不雅点：GAA 工艺本人与光刻建树的有关度有限，甚而在光刻建树受限时，反而可通过 GAA 来放宽间距条款。有关词，即便领有这种便利，英特尔要念念兑现清爽的量产工艺仍非易事。半导体的难度远不啻于光刻机，极紫外光刻仅是入场券，委果的竞争在于蚀刻、千里积、清洗等更难的工艺整合才气，而这恰是台积电卓越于英特尔和三星的中枢领域。

上一篇：kpl外围投注 【一竞技】丧胆协议：DRG强劲上风连络输掉要津战，他们应该奈何诊疗？

下一篇：没有了